Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100DA120UF

ВС-ГТ100ДА120УФ

Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100DA120UF
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4234
Артикул: ВС-ГТ100ДА120УФ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $41.5000

Дополнительная цена:$41.5000

Подробности

Параметры
Производитель	Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд	ГЕКСФРЕД®
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Тренч
Конфигурация	Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	187 А
Мощность - Макс.	890 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,55 В при 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	100 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	6,15 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Нет
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования	СОТ-227
Базовый номер продукта	GT100
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	10

Модуль IGBT в пазу, одиночный, 1200 В, 187 А, 890 Вт, крепление на шасси SOT-227