Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ)

ТК80С06К3Л(Т6Л1,НК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6818
  • Артикул: ТК80С06К3Л(Т6Л1,НК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСИВ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,5 мОм при 40 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4200 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 100 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК+
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ТК80С06
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
N-канальный 60 В 80 А (Ta) 100 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DPAK+