Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ

ТК6Р7П06ПЛ,РК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 19
  • Артикул: ТК6Р7П06ПЛ,РК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9600

Дополнительная цена:$0,9600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-MOSIX-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,7 мОм при 23 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 300 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1990 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 66 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ТК6Р7П06
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канальный 60 В 46 А (Tc) 66 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK