Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Bourns Inc. BDT60C-S — Bourns Inc. Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Bourns Inc. BDT60C-S

BDT60C-S

  • Производитель: Борнс Инк.
  • Номер производителя: Bourns Inc. BDT60C-S
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1552 г.
  • Артикул: BDT60C-S
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Борнс Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора PNP - Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 120 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 2,5 В при 6 мА, 1,5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 750 @ 1,5 А, 3 В
Мощность - Макс. 2 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-220-3
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Базовый номер продукта БДТ60
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 15 000
Биполярный (BJT) транзистор PNP — Дарлингтон 120 В 4 А 2 Вт сквозное отверстие TO-220