| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR2 |
| Размер | 16Гбит |
| Организация | 256М х 64 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,3 В |
| Рабочая температура | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 253-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 253-ФБГА (11х11) |
| Базовый номер продукта | МТ42Л256М64 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR2, 16 Гбит, параллельная частота, 400 МГц, 253-FBGA (11x11)