Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Microsemi Corporation APTM120VDA57T3G - Microsemi Corporation FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi APTM120VDA57T3G

АПТМ120ВДА57Т3Г

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi APTM120VDA57T3G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3622
  • Артикул: АПТМ120ВДА57Т3Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд СИЛА МОС 7®
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 684 мОм при 8,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В при 2,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 187 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5155пФ при 25 В
Мощность - Макс. 390 Вт
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи SP3
Поставщик пакета оборудования SP3
Базовый номер продукта АПТМ120
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 17 А, 390 Вт, крепление на шасси SP3