Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E IT: A
MT44K32M18RB-125E IT: a
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E IT: A
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1213
- Sku: MT44K32M18RB-125E IT: a
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Епако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | Ддрам |
| Raзmerpmayti | 576 мб |
| Органихая | 32 м х 18 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 800 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 10 млн |
| Napraheneee - posta | 1,28 В ~ 1,42 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 168-TBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 168-BGA (13,5x13,5) |
| Baзowый nomer prodikta | MT44K32M18 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0024 |
| Станодар | 1000 |
DRAM Memory IC 576MBIT PARALLELH 800 мг 10 млн. 168-BGA (13,5x13,5)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p