Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G - Microsemi Corporation FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Микросеми APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Микросеми APTM10DHM09T3G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1542 г.
  • Артикул: APTM10DHM09T3G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи SP3
Поставщик пакета оборудования SP3
Базовый номер продукта АПТМ10
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд СИЛОВАЯ МОП V®
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) асимметричных
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 139А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм при 69,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 2,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 350 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9875пФ при 25 В
Мощность - Макс. 390 Вт
Массив МОП-транзисторов 100 В, 139 А, 390 Вт, крепление на шасси SP3