| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR |
| Размер | 2Гбит |
| Организация | 128М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15 нс |
| Время доступа | 5 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -25°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 60-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 60-ВФБГА (10х10) |
| Базовый номер продукта | МТ46Х128М16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR, 2 Гбит, параллельная, 200 МГц, 5 нс, 60-VFBGA (10x10)