Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi HGT1S7N60A4DS - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми HGT1S7N60A4DS

ХГТ1С7Н60А4ДС

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми HGT1S7N60A4DS
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5621
  • Артикул: ХГТ1С7Н60А4ДС
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 34 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 56 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,7 В @ 15 В, 7 А
Мощность - Макс. 125 Вт
Переключение энергии 55 мкДж (вкл.), 60 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 37 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 11 нс/100 нс
Условия испытаний 390В, 7А, 25Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 34 нс
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования Д²ПАК (ТО-263)
Базовый номер продукта ХГТ1С7Н60
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
IGBT 600 В, 34 А, 125 Вт, для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)