Микрочиповая технология MXLPLAD18KP12AE3

ТВС ДИОД 12VWM 19.9VC ПЛАД

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MXLPLAD18KP12AE3
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7257
Артикул: МХЛПЛАД18КП12АЕ3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	Военный, MIL-PRF-19500
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип	Зенер
Однонаправленные соединения	1
Напряжение – обратный зазор (тип.)	12 В
Напряжение - пробой (мин)	13,3 В
Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp	19,9 В
Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс)	905А
Мощность — пиковый импульс	18000 Вт (18 кВт)
Защита линий электропередачи	Нет
Приложения	Общего назначения
Эмкость на частотах	-
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	Нестандартный SMD
Поставщик пакета оборудования	ПЛАД
Базовый номер продукта	ПЛАД18
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	1