Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix BS250KL-TR1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix BS250KL-TR1-E3

BS250KL-TR1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix BS250KL-TR1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6187
  • Артикул: BS250KL-TR1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 3 НК при 15 В
ВГС (Макс) ±20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 800 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-92-18РМ
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения
Базовый номер продукта БС250
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 2000 г.
П-канал 60 В 270 мА (Та) 800 мВт (Та) Сквозное отверстие ТО-92-18РМ