| Параметры |
| Производитель | Инфинеон Технологии |
| Ряд | F-RAM™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ФРАМ |
| Технология | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) |
| Размер | 4Кбит |
| Организация | 512 х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 20 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-WDFN Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ДФН (4х4,5) |
| Базовый номер продукта | FM25L04 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 3000 |
FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) ИС память 4 Кбит SPI 20 МГц 8-DFN (4x4,5)