Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3

SIZF920DT-T1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: SIZF920DT-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,9000

Дополнительная цена:$1,9000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной), Шоттки
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28А (Та), 76А (Тс), 49А (Та), 197А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,07 мОм при 10 А, 10 В, 1,05 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА, 2,2 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 нк при 10 В, 125 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1300пФ при 15В, 5230пФ при 15В
Мощность - Макс. 3,9 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), 4,5 Вт (Ta), 74 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта СИЗФ920
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В 28 А (Ta), 76 А (Tc), 49 А (Ta), 197 А (Tc) 3,9 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), 4,5 Вт (Ta), 74 Вт (Tc) Для внешнего монтажа 8-PowerPair® (6x5)