Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3

СИШ407ДН-Т1-ГЕ3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 18
  • Артикул: СИШ407ДН-Т1-ГЕ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8900

Дополнительная цена:$0,8900

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8SH
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8SH
Базовый номер продукта СИШ407
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15,4 А (Та), 25 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,5 мОм при 15,3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 93,8 НК при 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2760 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,6 Вт (Та), 33 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
П-канал 20 В 15,4 А (Ta), 25 А (Tc) 3,6 Вт (Ta), 33 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8SH для поверхностного монтажа