Micron Technology Inc. MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT Tr
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 5863
- Sku: MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT Tr
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй, neStabilnый |
| Формат пэмаи | Flash, Ram |
| Тела | Flash - Nand, Mobile LPDRAM |
| Raзmerpmayti | 8 -gbiot (nand), 4gbit (lpdram) |
| Органихая | 512m x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 200 мг |
| Верный | - |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Raboч -yemperatura | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | - |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Baзowый nomer prodikta | MT29C8G96 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Eccn | 3A991B1A |
| Htsus | 8542.32.0071 |
| Станодар | 1000 |
Flash - nand, mobilannyaping -pramastath lpdram ic 8gbit (nand), 4gbit (lpdram) paralelno 200 mmgц
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p