| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Microsemi Corporation |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | МОСС |
| Коунфигура | N-канал |
| ЧastoTA | 13,56 мг |
| Прирост | 21 дБ |
| В конце | 50 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 11A |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 200 май |
| Питани - В.О. | 125 Вт |
| Napraheneee - оинка | 150 |
| PakeT / KORPUES | - |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Управо |
| Htsus | 0000.00.0000 |
| Станодадж | 1 |
RF MOSFET 50 V 200 мА 13,56 мг 21 дБ 125 Вт
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740