| Парметр | |
|---|---|
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.5a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 300mohm @ 3,5a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 18 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 800 мт (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 18-ulcc (9.14x7.49) |
| PakeT / KORPUES | 18-CLCC |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодадж | 1 |
| Млн | Microsemi Corporation |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
N-kanal 100- 4,5а (TC) 800 мг (TC), то
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740