Micron Technology Inc. MT49H64M9CBM-25E:B

MT49H64M9CBM-25E:B

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. MT49H64M9CBM-25E:B
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7714
Артикул: MT49H64M9CBM-25E:B
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Устаревший
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	ДРАМ
Размер	576Мбит
Организация	64М х 9
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	400 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Время доступа	15 нс
Напряжение питания	1,7 В ~ 1,9 В
Рабочая температура	0°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	144-ТФБГА
Поставщик пакета оборудования	144-мкБГА (18,5х11)
Базовый номер продукта	МТ49Х64М9
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0024
Стандартный пакет	1000

ИС-память DRAM, 576 Мбит, параллельная, 400 МГц, 15 нс, 144 µBGA (18,5x11)