Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-25E: H TR
MT47H256M4CF-25E: H tr
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-25E: H TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9010
- Sku: MT47H256M4CF-25E: H tr
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR2 |
| Raзmerpmayti | 1 Гит |
| Органихая | 256 м х 4 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 400 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 400 с |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Raboч -yemperatura | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 60-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 60-FBGA (8x10) |
| Baзowый nomer prodikta | MT47H256M4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0032 |
| Станодар | 1000 |
SDRAM - DDR2 PAM -ARATTH IC 1GBIT Параллель 400 мг.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p