Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B, LM
TBC857B, LM
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B, LM
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6
- Sku: TBC857B, LM
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Pnp |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 150 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 650 мВ @ 100ma, 5ma |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 30NA (ICBO) |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 210 @ 2ma, 5 |
| Синла - МАКС | 320 м |
| ASTOTA - PRERESHOD | 80 мг |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-23-3 |
| Baзowый nomer prodikta | TBC857 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодадж | 3000 |
БИПАЛАНС (BJT) Трангистор PNP 50 ЕС 150 МАТА 80 МЕГО 320 МВЕРЕВЕРНА
