Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BCN
AS4C64M16MD1-6BCN
- Проиджоделх: Alliance Memory, Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BCN
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2242
- Sku: AS4C64M16MD1-6BCN
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Alliance Memory, Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Raзmerpmayti | 1 Гит |
| Органихая | 64 м х 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 166 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 5 млн |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 60-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 60-FBGA (8x10) |
| Baзowый nomer prodikta | AS4C64 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Верный | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0032 |
| Дрогин ИНЕНА | 1450-1126 |
| Станодадж | 300 |
SDRAM - MOBILNAINVARYPAMPATH LPDDR IC 1GBIT PARALLEL 166 MMGц 5 NS 60 -FBGA (8x10)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p