Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ

ТК10В60В,ЛВК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1888 г.
  • Артикул: ТК10В60В,ЛВК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6898

Дополнительная цена:$1,6898

Подробности

Теги

Параметры
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9,7А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 380 мОм при 4,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,7 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 700 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 88,3 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 4-ДФН-ЭП (8х8)
Пакет/ключи 4-ВСФН Открытая площадка
Базовый номер продукта ТК10В60
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд ДТМОСИВ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
N-канал 600 В 9,7 А (Ta) 88,3 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 4-DFN-EP (8x8)