电阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

电阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 400mW 薄膜电阻 100 кОм ±0,1% 400 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 400mW
薄膜电阻 46.4kΩ ±0.5% 333.333mW 薄膜电阻 46,4 кОм ±0,5% 333,333 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 46.4kΩ ±0.5% 333.333mW
薄膜电阻 46.4kΩ ±0.5% 125mW 薄膜电阻 46,4 кОм ±0,5% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 46.4kΩ ±0.5% 125mW
薄膜电阻 100kΩ ±0.01% 400mW 薄膜电阻 100 кОм ±0,01% 400 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 100kΩ ±0.01% 400mW
薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 400mW 薄膜电阻 100 кОм ±0,1% 400 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 400mW
薄膜电阻 100kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 100 кОм ±0,25% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 100kΩ ±0.25% 125mW
薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 150mW 薄膜电阻 100 кОм ±0,1% 150 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 150mW
薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 750mW 薄膜电阻 100 кОм ±0,1% 750 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 750mW
薄膜电阻 39kΩ ±1% 62.5mW 薄膜电阻 39кОм ±1% 62,5мВт КОА - 薄膜电阻 39kΩ ±1% 62.5mW
薄膜电阻 100kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 100кОм ±1% 125мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 100kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 100kΩ ±0.5% 250mW 薄膜电阻 100кОм ±0,5% 250мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 100kΩ ±0.5% 250mW
薄膜电阻 39kΩ ±1% 50W 薄膜电阻 39кОм ±1% 50Вт Риедон - 薄膜电阻 39kΩ ±1% 50W
薄膜电阻 39kΩ ±5% 200mW 薄膜电阻 39кОм ±5% 200мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 39kΩ ±5% 200mW
薄膜电阻 39kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 39кОм ±0,25% 125мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 39kΩ ±0.25% 125mW
39kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 39 кОм ±0,1% 250 мВт ПАНАСОНИК(松下) - 39kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻
薄膜电阻 39kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 39кОм ±0,25% 125мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 39kΩ ±0.25% 125mW
薄膜电阻 39kΩ ±0.05% 125mW 薄膜电阻 39кОм ±0,05% 125мВт ПАНАСОНИК(松下) - 薄膜电阻 39kΩ ±0.05% 125mW
薄膜电阻 39kΩ ±0.5% 250mW 薄膜电阻 39кОм ±0,5% 250мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 39kΩ ±0.5% 250mW
薄膜电阻 39kΩ ±0.1% 63mW 薄膜电阻 39кОм ±0,1% 63мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 39kΩ ±0.1% 63mW
薄膜电阻 39kΩ ±5% 1W 薄膜电阻 39кОм ±5% 1Вт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 39kΩ ±5% 1W
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,1% 250 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 250mW
薄膜电阻 39kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 39кОм ±0,25% 125мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 39kΩ ±0.25% 125mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.05% 125mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,05% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.05% 125mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.5% 333.333mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,5% 333,333 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.5% 333.333mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 62.5mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,1% 62,5 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 62.5mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,1% 125 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.05% 100mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,05% 100 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.05% 100mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.01% 100mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,01% 100 мВт БОРНС - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.01% 100mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,1% 250 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.1% 250mW
薄膜电阻 49.9kΩ ±0.05% 100mW 薄膜电阻 49,9 кОм ±0,05% 100 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 49.9kΩ ±0.05% 100mW