Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 插件电阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

插件电阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
绕线电阻 200Ω ±5% 3W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 3 Вт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 绕线电阻 200Ω ±5% 3W
绕线电阻 200Ω ±5% 13W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 13 Вт ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 200Ω ±5% 13W
绕线电阻 200Ω ±5% 1W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 1 Вт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 绕线电阻 200Ω ±5% 1W
绕线电阻 200Ω ±1% 3W Электрическое сопротивление 200 Ом ±1% 3 Вт ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 200Ω ±1% 3W
绕线电阻 200Ω ±0.1% 7W Электрическое сопротивление 200 Ом ±0,1% 7 Вт ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 200Ω ±0.1% 7W
绕线电阻 200Ω ±5% 10W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 10 Вт Ксикон - 绕线电阻 200Ω ±5% 10W
绕线电阻 200Ω ±5% 1W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 1 Вт ЯГЭО (国巨) - 绕线电阻 200Ω ±5% 1W
绕线电阻 200Ω ±5% 2W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 2 Вт ЯГЭО (国巨) - 绕线电阻 200Ω ±5% 2W
绕线电阻 200Ω ±5% 20W Электрическое сопротивление 200 Ом ±5% 20 Вт опустить - 绕线电阻 200Ω ±5% 20W
绕线电阻 200Ω ±1% 1.5W Электрическое сопротивление 200 Ом ±1% 1,5 Вт ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 200Ω ±1% 1.5W
绕线电阻 5.6Ω ±5% 4W Выходное сопротивление 5,6 Ом ±5% 4 Вт ЯГЭО (国巨) - 绕线电阻 5.6Ω ±5% 4W
绕线电阻 5.6Ω ±1% 3W Выходное сопротивление 5,6 Ом ±1% 3 Вт Риедон - 绕线电阻 5.6Ω ±1% 3W
绕线电阻 5.6Ω ±5% 500mW Электрическое сопротивление 5,6 Ом ±5% 500 мВт ЯГЭО (国巨) - 绕线电阻 5.6Ω ±5% 500mW
绕线电阻 5.6Ω ±10% 10W 停产 Электрическое сопротивление 5,6 Ом ±10 %, 10 Вт. ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 5.6Ω ±10% 10W 停产
绕线电阻 5.6Ω ±1% 2W Выходное сопротивление 5,6 Ом ±1% 2 Вт ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 5.6Ω ±1% 2W
绕线电阻 5.6Ω ±5% 5W Электрическое сопротивление 5,6 Ом ±5% 5 Вт ЯГЭО (国巨) - 绕线电阻 5.6Ω ±5% 5W
绕线电阻 5.6Ω ±5% 5W 停产 Мощность 5,6 Ом ±5%, 5 Вт. ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 5.6Ω ±5% 5W 停产
绕线电阻 5.6Ω ±10% 5W 停产 Мощность 5,6 Ом ±10 %, 5 Вт. ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 5.6Ω ±10% 5W 停产
绕线电阻 5.6Ω ±5% 13W Электрическое сопротивление 5,6 Ом ±5% 13 Вт ВИШАЙ (威世) - 绕线电阻 5.6Ω ±5% 13W
20mΩ ±5% 20 мОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 20mΩ ±5%
1mΩ ±0.001% 1.1W 1 мОм ±0,001% 1,1 Вт ВИШАЙ (威世) - 1mΩ ±0.001% 1.1W
1Ω ±0.1% 10W 1 Ом ±0,1% 10 Вт Изабельенхютте (伊萨普兰) - 1Ω ±0.1% 10W
10mΩ ±0.5% 10W 10 мОм ±0,5% 10 Вт Изабельенхютте (伊萨普兰) - 10mΩ ±0.5% 10W
金属膜电阻 9.1kΩ ±0.1% 100mW 金属膜电阻 9,1 кОм ±0,1% 100 мВт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 9.1kΩ ±0.1% 100mW
金属膜电阻 9.1kΩ ±1% 125mW 金属膜电阻 9,1 кОм ±1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 9.1kΩ ±1% 125mW
金属膜电阻 9.1kΩ ±2% 1W 金属膜电阻 9,1 кОм ±2% 1 Вт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 9.1kΩ ±2% 1W
金属膜电阻 17.4kΩ ±1% 500mW 金属膜电阻 17,4 кОм ±1% 500 мВт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 17.4kΩ ±1% 500mW
金属膜电阻 9.1kΩ ±2% 125mW 金属膜电阻 9,1 кОм ±2% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 9.1kΩ ±2% 125mW
金属膜电阻 17.4kΩ ±0.1% 125mW 金属膜电阻 17,4 кОм ±0,1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 17.4kΩ ±0.1% 125mW
金属膜电阻 17.4kΩ ±1% 100mW 金属膜电阻 17,4 кОм ±1% 100 мВт ВИШАЙ (威世) - 金属膜电阻 17.4kΩ ±1% 100mW