排阻
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | 105 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - |  | | |
| | 95,3 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 95,3 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 86,6 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 86,6 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 86,6 Ом ±1% | БОРНС | - | | | |
| | 180 Ом 90 Ом ±0,02% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 180 Ом 90 Ом ±0,02% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 95 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 95 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 95 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 90,9 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 95,3 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 88,7 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 105 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 133 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 127 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 180 Ом ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 180 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
 | 180 Ом ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | | | |
| | 180 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 390 Ом 180 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 180 Ом ±5% | САМСУНГ(三星) | - | | | |
| | 680 Ом 180 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 390 Ом 180 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 25,5 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 25,5 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 137 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 130 Ом ±5% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 130 Ом ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | | |