排阻
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
 | 27 Ом ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - |  | | |
| | 22,1 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 26,1 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 24,9 Ом ± 1% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 28,7 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 30 Ом ±1% 0402x4 | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 30 Ом ±5% 0603x4 | ФХ (风华) | - | | | |
| | 28,7 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 30 Ом ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 1,6 кОм 26 Ом ±2 Ом;;;±2% | БОРНС | - | | | |
| | 27,4 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 27,4 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 26,1 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 26,1 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 27 Ом ±5% | ФХ (风华) | - | | | |
 | 27 Ом ±1% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 26,7 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 26,7 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 26,7 Ом ± 1% | SEI (Stackpole Electronics Inc.) | - | | | |
 | 30 Ом ±5% | ФХ (风华) | - | | | |
| | 33,2 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 47 Ом ±1% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
 | 47 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 45,3 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 30,9 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 30,9 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 43 Ом ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
 | 43 Ом ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | | | |
| | 43 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 31,6 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | |