排阻
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | 270 Ом ±2% | БОРНС | - |  | | |
| | 33,2 Ом ±1% | БОРНС | - | | | |
| | 33,2 Ом ±1 % | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 27 Ом ± 1 Ом | БОРНС | - | | | |
| | 27 Ом ± 1 Ом | БОРНС | - | | | |
| | 27 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 27 Ом ±5% | БОРНС | - | | | |
| | 27 Ом ±5% | САМСУНГ(三星) | - | | | |
| | 27 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 15,4 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 30 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 18,2 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 24,9 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 24,9 Ом ±1 % | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 14,3 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 15,8 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 15,8 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 15 Ом ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 16 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 16 Ом ±5% | БОРНС | - | | | |
| | 16 Ом ±5% | САМСУНГ(三星) | - | | | |
| | 16 Ом ±1% | SEI (Stackpole Electronics Inc.) | - | | | |
 | 16 Ом ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | | | |
 | 14 Ом ±1% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 13,7 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 13,7 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 14,3 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 14,3 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 14,7 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 14,7 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | |