
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | RCS3216F5622CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025J623CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 62кОм, 5%, | ![]() | |
| | RCS0603F8062CS | Ксилинкс | Сформированный | Толстая пленка, 80,6 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F8R25CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RCS3216F3R0CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC6432F1473CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 147кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC1608F564AS | Ксилинкс | 0603 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 560 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F3571CS | Ксилинкс | 2010 год | Техническое описание RC5025F3571CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC6432F3091CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,09кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC2012F2200CS | Ксилинкс | 0805 | Толстая пленка, 220 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F5110CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 511 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC5025J683CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 68кОм, 5%, | ![]() | |
| | RC5025J684CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 680кОм, 5%, | ![]() | |
| | RCS3216F56R2CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC6432F30R1CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 30,1 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RCS3216F5760CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RCS3216F9091CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RCS1005D2323CS | Ксилинкс | Сформированный | 232кОм, | ![]() | |
| | RC5025F361CS | Ксилинкс | 2010 год | Техническое описание RC5025F361CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC3225F3R24CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,24 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RCS3216F9092CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC6432F3160CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 316 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RCS1005D2372CS | Ксилинкс | Сформированный | Толстая пленка, 23,7 кОм, 0,5%, | ![]() | |
| | RCS1005D274CS | Ксилинкс | Сформированный | Толстая пленка, 270 кОм, 0,5%, | ![]() | |
| | RC3225F3R3CS | Ксилинкс | 1210 | 3,3 Ом, | ![]() | |
| | RCS3216F9094CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F364CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 360кОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS1005D364CS | Ксилинкс | Сформированный | Толстая пленка, 360 кОм, 0,5%, | ![]() | |
| | RCS3216F90R9CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F2490CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 249 Ом, 1%, | ![]() | |