
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | RCS3216F2320CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | РУТ3225ФР100CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F1584CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,58 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F5620CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 562 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F3651CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F7684CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 7,68 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F8873CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 887кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F11R3CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 11,3 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC3216F9311CS | Ксилинкс | 1206 | Техническое описание RC3216F9311CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | РУТ3225ФР130КС | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F1402CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 14кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F3654CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,65 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F11R8CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 11,8 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC5025F1430CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 143 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F1210CS | Ксилинкс | 2512 | Техническое описание RC6432F1210CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC5025F563CS | Ксилинкс | 2010 год | Техническое описание RC5025F563CS в формате pdf и описание чипа-резистора — сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RC5025F1431CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,43кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F1622CS | Ксилинкс | 1210 | 16,2 кОм, | ![]() | |
| | RC6432F1211CS | Ксилинкс | 2512 | Техническое описание RC6432F1211CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC5025F565CS | Ксилинкс | 2010 год | 5,6 МОм, | ![]() | |
| | RC3225J223CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 22кОм, 5%, | ![]() | |
| | RCS3216F3742CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F1624CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,62 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F4420CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 442 Ом, 1%, | ![]() | $0 |
| | RC6432F1214CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,21 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F121CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 120 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC3225F163CS | Ксилинкс | 1210 | 16кОм, | ![]() | |
| | RC5025F1470CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 147 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F5R62CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 5,62 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC3216F2742CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 27,4 ком, 1%, | ![]() | |