
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | RC3225F1150CS | Ксилинкс | 1210 | Техническое описание RC3225F1150CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC3216F240CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 24 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F1741CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,74кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F1R13CS | Ксилинкс | 2010 год | Техническое описание RC5025F1R13CS в формате pdf и описание чипа-резистора — сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RC5025F435CS | Ксилинкс | 2010 год | 4,3 МОм, | ![]() | |
| | RCS3216F2943CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC6432F3831CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,83кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F1021CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,02кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F1153CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 115кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F1800CS | Ксилинкс | 1206 | Толстая пленка, 180 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC6432J2R7CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 2,7 Ом, 5 %, | ![]() | |
| | RC5025F4424CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 4,42 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F1960CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F1182CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 11,8кОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F2R21CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F4530CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 453 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F2671CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 2,67 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F3921CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,92кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F6490CS | Ксилинкс | 1206 | Техническое описание RC3216F6490CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC3225F1183CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 118кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F1050CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 105 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F2R2CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F752CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 7,5 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F11R3CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 11,3 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC3216F25R5CS | Ксилинкс | 1206 | Техническое описание RC3216F25R5CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC6432J332CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,3кОм, 5%, | ![]() | |
| | RC3225J820CS | Ксилинкс | 1210 | Техническое описание RC3225J820CS в формате pdf и описание чипа-резистора — сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RC3225F1210CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 121 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC5025J621CS | Ксилинкс | 2010 год | Толстая пленка, 620 Ом, 5%, | ![]() | |
| | RC6432F395CS | Ксилинкс | 2512 | 3,9 МОм, | ![]() | |