
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | RC3225F37R4CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 37,4 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC5025J513CS | Ксилинкс | 2010 год | Техническое описание RC5025J513CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC6432F2R7CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 2,7 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC6432J244CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 240кОм, 5%, | ![]() | |
| | RC5025J560CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 56 Ом, 5%, | ![]() | |
| | RCS3216F5491CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F122CS | Ксилинкс | 1210 | 1,2 кОм, | ![]() | |
| | RC6432J272CS | Ксилинкс | Сформированный | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 2,7кОм, 5%, | ![]() | |
| | RC3216F4640CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 464 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F3010CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 301 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC6432J273CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 27кОм, 5%, | ![]() | |
| | RCS3216F5492CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F123CS | Ксилинкс | 1210 | 12кОм, | ![]() | |
| | RCS3216F4220CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | РУТ5025ФР330CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025J564CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 560кОм, 5%, | ![]() | |
| | RC5025F3403CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 340кОм, 1%, | ![]() | |
| | РУК2012FR007CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3216J363CS | Ксилинкс | 1206 | Техническое описание RC3216J363CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RCS3216F86R6CS | Ксилинкс | - | Техническое описание RCS3216F86R6CS в формате pdf и описание чипа-резистора — подробные сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RCS0603D1272CS | Ксилинкс | 0201 | Толстая пленка, 12,7 кОм, 0,5%, | ![]() | |
| | RCS3216F8870CS | Ксилинкс | - | Техническое описание RCS3216F8870CS в формате pdf и описание чипа-резистора — сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RC6432F3013CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 301кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F3480CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 348 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC5025J5R6CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 5,6 Ом, 5 %, | ![]() | |
| | RCS3216F8871CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F1132CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 11,3кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F3484CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,48 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F8874CS | Ксилинкс | - | Техническое описание RCS3216F8874CS в формате pdf и описание чипа-резистора — сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RC5025J622CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 6,2кОм, 5%, | ![]() | |