Массы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | Panjit International Inc. PJS6604_S2_00001 | Панджит Интернешнл Инк. | Лента и катушка (TR) | 30 В ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ПОВЫШЕНИЕ МО |  | 0,12 доллара США |
| | Panjit International Inc. PJS6815_S1_00001 | Панджит Интернешнл Инк. | Лента и катушка (TR) | РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ P-КАНАЛА 20 В M | | 0,15 доллара США |
| | Panjit International Inc. PJS6835_S2_00001 | Панджит Интернешнл Инк. | Лента и катушка (TR) | РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ P-КАНАЛА 20 В M | | 0,11 доллара США |
| | Panjit International Inc. PJS6800_S1_00001 | Панджит Интернешнл Инк. | Лента и катушка (TR) | 30 В Н-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ M | | 0,14 доллара США |
| | Panjit International Inc. PJS6812_S1_00001 | Панджит Интернешнл Инк. | Лента и катушка (TR) | 20 В Н-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ М | | 0,47 доллара США |
 | онсеми NTLUD3A50PZTAGHW | онсеми | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор 2П-СН 20 В 2,8 А УДФН | | |
| | Renesas Electronics America Inc NP29N06QDK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Лента и катушка (TR) | АБУ/МОП-транзистор | | 1,86 доллара США |
| | онсеми FDMS3626S | онсеми | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор 2N-CH 25 В 17,5/25 А PWR56 | | |
| | GE Аэроспейс GE17042CCA3 | ГЭ Аэроспейс | Масса | 1700 В, 425 А, полумост из карбида кремния | | 1 доллар |
| | онсеми NTMFC013NP10M5L | онсеми | Лента и катушка (TR) | МВ5_100В_Н_П_ИН ДВОЙНОЙ И ОДИНАРНЫЙ | | 1,33 доллара США |
| | онсеми NTTFD022N10C | онсеми | Лента и катушка (TR) | 100 В ДВОЙНОЙ МОП-транзистор Н-Ч | | 1,65 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BSZ0907NDXTMA2 | Инфинеон Технологии | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор 2Н-Ч 30В 20А WISON-8 | | |
| | Инфинеон Технологии BSZ0908NDXTMA2 | Инфинеон Технологии | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор 2Н-Ч 30В 20А WISON-8 | | |
| | онсеми NTMFD4902NFT3G-S | онсеми | Масса | НТМФД4902НФТ3Г-С | | |
| | Санкен SPF0004 | Санкен | Лента и катушка (TR) | ДВОЙНЫЕ МОП-транзисторы со стабилитроном 27 | | $7,01 |
| | Diotec Semiconductor DI038N04PQ2-AQ | Диотек Полупроводник | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор, POWERQFN 5X6, 45 В, 38 А, | | 0,84 доллара США |
| | Diotec Semiconductor MMBT7002KW-AQ | Диотек Полупроводник | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор, СОТ-323, 60В, 0,3А, 0, 0 | | 0,04 доллара США |
| | Diotec Semiconductor MMFTN620KDW-AQ | Диотек Полупроводник | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор, СОТ-363, 60В, 0,35А, 0, | | 0,15 доллара США |
| | Диотек Полупроводник DI038N04PQ2 | Диотек Полупроводник | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор, POWERQFN 5X6, 45 В, 38 А, | | 0,79 доллара США |
| | Wolfspeed, Inc. WAS175M12BM3 | Вольфспид, Инк. | Коробка | СИК, МОДУЛЬ, 175А, 1200В, 62ММ, | | $566,82 |
| | Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU,LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Лента и катушка (TR) | ПБ-Ф МАЛЕНЬКИЙ МОП-МОС С НИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ | | 0,45 доллара США |
| | Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Лента и катушка (TR) | МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор DUAL N-CH VD | | 0,55 доллара США |
| | Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R,LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Лента и катушка (TR) | МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор N-CH+P-CH VD | | 0,53 доллара США |
| | Инфинеон Технолоджис FF1MR12KM1HP | Инфинеон Технологии | Поднос | СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ 62 ММ | | |
| | Инфинеон Технолоджис FF4MR12KM1HP | Инфинеон Технологии | Поднос | СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ 62 ММ | | |
| | Гофорд Полупроводник G05NP06S2 | Гофорд Полупроводник | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор Н/П-СН 60 В 5 А/3,1 А 8SOP | | 0,64 доллара США |
| | Микрочиповая технология MSCSM120AM042T6AG | Микрочиповая технология | Масса | ПМ-МОП-транзистор-SIC-SP6C | | |
| | Микрочиповая технология MSCSM120AM11T3AG | Микрочиповая технология | Масса | PM-MOSFET-SIC-SP3F | | $310,66 |
| | Микрочиповая технология MSCSM120HM16TBL3NG | Микрочиповая технология | Масса | ПМ-МОП-транзистор-SIC-BL3 | | |
| | Микрочиповая технология MSCSM70HM19T3AG | Микрочиповая технология | Масса | PM-MOSFET-SIC-SP3F | | $203,59 |