РЧ полочные транзисторы, МОП-транзисторы
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | NXP USA Inc. A3V07H600-42NR6 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |  | $110,94 |
| | NXP USA Inc. A3G26H350W17SR3 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, | | $155,06 |
| | NXP USA Inc. A3T09S100NR1 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | | $22,05 |
| | NXP USA Inc. A3I25D080NR1 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ИНТЕГРИРОВАННАЯ МОЩНОСТЬ AIRFAST RF LDMOS | | 29,5 долларов США |
| | NXP USA Inc. A3G18D510-04SR3 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, | | $114,46 |
| | NXP USA Inc. A5G26S004NT6 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ГАН-ДРАЙВЕР DFN4.5X4.0 6л | | $11,36 |
| | NXP USA Inc. A2V09H400-04SR3 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | | $93,23 |
| | NXP USA Inc. A5G35S008NT6 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР AIRFAST RF POWER GAN | | $13,08 |
| | Компания Amplifier Solutions Corp. ASC2979C | Компания Amplifier Solutions Corp. | Коробка | Усилитель ДРАЙВЕРА | | 1 доллар |
| | Амплеон США Inc. CLF1G0060-30 | Амплеон США Инк. | Поднос | CLF1G0060-30 - ШИРОКОПОЛОСНЫЙ РЧ 30 Вт | | $129,38 |
| | Амплеон США Инк. ТМ-100 | Амплеон США Инк. | Поднос | ТМ-100 - ШИРОКОПОЛОСНАЯ РЧ МОЩНОСТЬ 100 Вт | | |
| | Ampleon USA Inc. BLC10G19XS-601AVTY | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | BLC10G19XS-601AVTY/SOT1258/КАТУШКА | | $124,35 |
| | Wolfspeed, Inc. CGHV35400F1 | Вольфспид, Инк. | Поднос | ГАН HEMT, 400 Вт, 50 В, 2,9–3,5 ГГц | | $709,34 |
| | Амплеон США Inc. CLF3H0035-100U | Амплеон США Инк. | Поднос | CLF3H0035-100U/SOT467/ЛОТОК | | $214,02 |
| | Ampleon USA Inc. CLF3H0060S-30U | Амплеон США Инк. | Поднос | CLF3H0060S-30U/SOT1227/ЛОТОК | | $181,92 |
| | Ampleon USA Inc. BLC10G16XS-600AVTY | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | BLC10G16XS-600AVTY/SOT1258/КАТУШКА | | $108,39 |
| | Амплеон США Inc. CLF3H0060-30U | Амплеон США Инк. | Поднос | CLF3H0060-30U/SOT1227/ЛОТОК | | $181,92 |
| | NXP USA Inc. MRF300AN-27MHZ | NXP США Инк. | Масса | MRF300AN REF BRD 27 МГц 330 Вт | | 450 долларов США |
| | Microwave Technology Inc. MWT-LN600 | Микроволновые технологии, ООО | Случай | Сверхмалошумящий ФЕМТ, 26 ГГц | | $37,64 |
| | DNmicron DTL65CG230NTG | ДНмикрон | Лента и катушка (TR) | ГАН СИЛОВОЙ ФЕТ; 650В, 11А, ДФН 8Х | | $3,34 |
| | NXP USA Inc. A5G37H110NT4 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, | | $13,02 |
| | NXP USA Inc. A5G35H110NT4 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, | | $34,67 |
| | NXP USA Inc. A5G35S004NT6 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, | | $11,58 |
| | NXP USA Inc. A5G35H120NT2 | NXP США Инк. | Лента и катушка (TR) | ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, | | $38,29 |
| | Микрочиповая технология MDSGN-750ELMV | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 750 Вт, | | |
| | Микрочиповая технология 0912GN-100LV | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 100 Вт, 5 | | |
| | Микрочиповая технология 1011GN-1200VEL | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 1200 Вт, | | |
| | Микрочиповая технология 1011GN-1200V | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 1200 Вт, | | |
| | Микрочиповая технология 1214GN-50EQP-TS | Микрочиповая технология | Масса | ПОДДОН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 50Вт, | | |
| | Микрочиповая технология 1012GN-800V | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 800 Вт, | | |