РЧ полочные транзисторы, МОП-транзисторы

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Больше продуктов

Продукт	Номер детали	Производители	Упаковка	Описание	Техническая спецификация	Запрос запроса
	Рочестер Электроникс, ООО CLF1G0060-30	Рочестер Электроникс, ООО	Масса	CLF1G0060-30 - ШИРОКОПОЛОСНЫЙ РЧ 30 Вт		$129,38
	Рочестер Электроникс, ООО BLL1214-35	Рочестер Электроникс, ООО	Масса	BLL1214-35 - ПЕРЕДАЧА ЭНЕРГИИ ВЧ/ОВЧ
	Ampleon USA Inc. BLF8G19LS-170BV	Амплеон США Инк.	Поднос	RF FET LDMOS 170 Вт SOT1120
	Ampleon USA Inc. BLC9G22LS-120VTY	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	RF LDMOS TRANS 120 Вт SOT1271
	Ampleon USA Inc. BLC10G22LS-241PVT	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	РФ ЛДМОС ТРАНС 28В DFM6
	Амплеон США Inc. BLF7G24LS-140	Амплеон США Инк.	Поднос	RF FET LDMOS 140 Вт SOT502B
	Амплеон США Inc. BLF7G10LS-250	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	RF FET LDMOS 250 Вт SOT502B
	Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-200	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	ВЧ полевой транзистор LDMOS 200Вт SOT1244B
	Ampleon USA Inc. BLF7G20LS-90PH	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	RF FET LDMOS 90 Вт CDFM4
	Амплеон США Inc. BLF7G24LS-100	Амплеон США Инк.	Поднос	RF FET LDMOS 100 Вт SOT502B
	Ampleon USA Inc. BLP9H10S-350AY	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	BLP9H10S-350AY/OMP-780/TRAYDP		$46,45
	Амплеон США Инк. C4H2327N110AZ	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	C4H2327N110AZ/DFN 6.5X7.0/REELDP		$47,35
	Амплеон США Inc. C4H2350N10Z	Амплеон США Инк.	Лента и катушка (TR)	К4Х2350Н10З/ДФН 4.0С4.5/РЕЕЛДП		$20,16
	STMicroelectronics PD85015TRM-E	СТМикроэлектроника	Лента и катушка (TR)	ТРАНС РФ Н-Ч ФТ POWERSO-10
	Ampleon USA Inc. CLF3H0035S-100U	Амплеон США Инк.	Поднос	CLF3H0035S-100U/SOT467/ЛОТОК		$214,02
	Микрочиповая технология 1011GN-1600VG	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 1600 Вт,
	Микрочиповая технология 0912GN-15EP	Микрочиповая технология	Масса	ПОДДОН, ГАН, 960-1215 МГЦ, 15Вт,
	Микрочиповая технология 1011GN-30EL	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 30Вт, 5
	Микрочиповая технология 0912GN-15EL	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 15Вт, 50
	Микрочиповая технология DC35GN-15-Q4	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, DC-3,5 ГГц, 15 Вт, 50 В
	Микрочиповая технология 1214GN-120V	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 120Вт,
	Микрочиповая технология 1011ГН-2200ВП	Микрочиповая технология	Масса	ПОДДОН, ГАН, 1030/1090 МГЦ, 2200
	Технология микрочипа 78161GNP	Микрочиповая технология	Масса	ПОДДОН, ГАН, 2,7-2,9 ГГЦ, 300ВТ,
	Микрочиповая технология 0912GN-650V	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 650 Вт, 5
	Микрочиповая технология 1214GN-400LV	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 400Вт,
	Микрочиповая технология 0912GN-50LE	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 50Вт, 50
	Микрочиповая технология 1214ГН-1200ВГ	Микрочиповая технология	Масса	ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 1200Вт,
	Амплеон США Инк. ART700FHGJ	Амплеон США Инк.	Разрезанная лента (CT)	RF FET 700 Вт 450 МГц LDMOS SOT1214		$174,93
	BeRex Inc BCP020C-70	БеРекс Инк	Лента и катушка (TR)	Высокоэффективный гетеропереход p		$10,66
	BeRex Inc BCF120T	БеРекс Инк	Поднос	Высокоэффективный гетеропереход p		$44,33

РЧ полочные транзисторы, МОП-транзисторы

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ