Массы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | Альфа и Омега Semiconductor Inc. AONX36322 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Лента и катушка (TR) | АСИММЕТРИЧНЫЙ Н |  | 0,74 доллара США |
| | Альфа и Омега Semiconductor Inc. AOC3870S | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Лента и катушка (TR) | ОБЩИЙ ДРЕНАЖ Н | | 0,34 доллара США |
| | Альфа и Омега Semiconductor Inc. AONE36182 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Лента и катушка (TR) | АСИММЕТРИЧНЫЙ Н | | 0,7 доллара США |
| | Альфа и Омега Semiconductor Inc. AOCA24106C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Лента и катушка (TR) | ОБЩИЙ ДРЕНАЖ Н | | 0,97 доллара США |
| | Альфа и Омега Semiconductor Inc. AONP38324 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Лента и катушка (TR) | Н | | 0,54 доллара США |
| | Инфинеон Технологии IPG20N06S2L65AAUMA1 | Инфинеон Технологии | Масса | МОП-транзистор | | |
| | Инфинеон Технологии IPG20N04S408BATMA1 | Инфинеон Технологии | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор 2N-CH 8TDSON | | |
| | Микрочиповая технология MSCSM120VR1M16CT3AG | Микрочиповая технология | Масса | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | | $291,11 |
| | Микрочиповая технология MSCSM120VR1M16CTPAG | Микрочиповая технология | Масса | ПМ-МОП-транзистор-SIC-SBD-SP6P | | $884,67 |
| | Микрочиповая технология MSCSM120VR1M062CT6AG | Микрочиповая технология | Масса | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | | $802,64 |
| | GE Аэроспейс GE12160CEA3 | ГЭ Аэроспейс | Масса | 1200 В, 1425 А, полумост из карбида кремния | | 3 доллара |
| | онсеми NXH020U90MNF2PTG | онсеми | Поднос | МОДУЛИ НИЦ, ВЕНСКИЙ МОДУЛЬ 900В, | | $258,06 |
| | Nexperia USA Inc. PSMN6R8-40HSX | Нексперия США Инк. | Лента и катушка (TR) | ПСМН6Р8-40ХС/СОТ1205/ЛФПАК56Д | | 1,78 доллара США |
| | Nexperia USA Inc. PSMN8R5-40HSX | Нексперия США Инк. | Лента и катушка (TR) | ПСМН8Р5-40ХС/СОТ1205/ЛФПАК56Д | | 1,68 доллара США |
| | Nexperia USA Inc. PSMN013-60HLX | Нексперия США Инк. | Лента и катушка (TR) | ПСМН013-60ХЛ/СОТ1205/ЛФПАК56Д | | 1,9 доллара США |
| | Nexperia USA Inc. PSMN028-100HSX | Нексперия США Инк. | Лента и катушка (TR) | ПСМН028-100ХС/СОТ1205/ЛФПАК56Д | | 1,86 доллара США |
| | Nexperia USA Inc. PSMN011-60HLX | Нексперия США Инк. | Лента и катушка (TR) | ПСМН011-60ХЛ/СОТ1205/ЛФПАК56Д | | $2,08 |
| | Гофорд Полупроводник G200P04S2 | Гофорд Полупроводник | Лента и катушка (TR) | П-40В,-9А,РД(МАКС)<20М@-10В,ВТХ-1 | | 0,91 доллара США |
| | Гофорд Полупроводник G450N10D52 | Гофорд Полупроводник | Лента и катушка (TR) | Н100В, 35А,РД<45М при 10 В, VTH1,5 В~2. | | 0,87 доллара США |
| | Гофорд Полупроводник G120P03S2 | Гофорд Полупроводник | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор 30В 16А 8СОП | | 0,8 доллара США |
| | Nexperia USA Inc. BUK7K89-100E/1X | Нексперия США Инк. | Масса | БУК7К89-100Е/1Х | | |
| | Nexperia USA Inc. BUK9K17-60E/1X | Нексперия США Инк. | Масса | БУК9К17-60Е/1Х | | |
| | Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E/1X | Нексперия США Инк. | Масса | БУК7К6Р8-40Е/1Х | | |
| | Диоды Инкорпорейтед DMN2710UV-7 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В SOT563 T&R | | 0,28 доллара США |
| | Диоды Incorporated DMN3401LVQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В SOT563 T&R | | 0,32 доллара США |
| | Диоды Инкорпорейтед DMN62D0UV-7 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | МОП-ТБВДСС: 41 В~60 ВСОТ563Т&Р3К | | 0,41 доллара США |
| | Диоды Инкорпорейтед DMTH45M5SPDW-13 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор BVDSS: 31–40 В POWERDI506 | | 1,22 доллара США |
| | Диоды Incorporated DMTH45M5LPDWQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор BVDSS: 31–40 В POWERDI506 | | 1,31 доллара США |
| | Диоды Incorporated DMP2900UVQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | ОСФЕТБВДСС:8В~24ВСОТ563Т&Р10К | | 0,36 доллара США |
| | Диоды Инкорпорейтед DMN33D8LVQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В SOT563 T&R | | 0,45 доллара США |