Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Диодные матрицы — поиск электронных компонентов — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

Диодные матрицы

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
Infineon Technologies BAS70-05E6327 Инфинеон Технологии BAS70-05E6327 Инфинеон Технологии Масса BAS70 - ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, CL Infineon Technologies BAS70-05E6327
Infineon Technologies BAS70-07W Инфинеон Технологии BAS70-07W Инфинеон Технологии Масса ДИОД ШОТТКИ – ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Infineon Technologies BAS70-07W
NXP USA Inc. BAV170M315 NXP USA Inc. BAV170M315 NXP США Инк. Масса СЕЙЧАС NEXPERIA BAV170M - ВЫПРЯМИТЕЛЬ NXP USA Inc. BAV170M315
0,02 доллара США
NXP USA Inc. BAV170/DG/B3215 NXP USA Inc. BAV170/DG/B3215 NXP США Инк. Масса BAV170 — ДВОЙНОЙ ДИОД С НИЗКОЙ УТЕЧКОЙ NXP USA Inc. BAV170/DG/B3215
NXP Semiconductors BAW56W135 Полупроводники NXP BAW56W135 НХП Полупроводники Масса ТЕПЕРЬ NEXPERIA BAW56W - ВЫПРЯМИТЕЛЬ NXP Semiconductors BAW56W135
NXP USA Inc. BYV32E-100,127 NXP USA Inc. BYV32E-100,127 NXP США Инк. Масса ДИОДНАЯ МАССИВ 100В 20А ТО220AB NXP USA Inc. BYV32E-100,127
0,54 доллара США
NXP USA Inc. PMEG6002TV,115 NXP USA Inc. PMEG6002TV,115 NXP США Инк. Масса СЕЙЧАС NEXPERIA PMEG6002TV - РЕКТИФ NXP USA Inc. PMEG6002TV,115
Fairchild Semiconductor MBRP3045NTU Fairchild Semiconductor MBRP3045NTU Фэйрчайлд Полупроводник Масса ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, ШОТТКИ, 1 ФА Fairchild Semiconductor MBRP3045NTU
0,7 доллара США
Infineon Technologies BAS70-06E6327 Инфинеон Технологии BAS70-06E6327 Инфинеон Технологии Масса BAS70 - ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, CL Infineon Technologies BAS70-06E6327
NXP USA Inc. BYQ28E-200,127 NXP USA Inc. BYQ28E-200,127 NXP США Инк. Масса ДИОДНАЯ МАССИВ 200В 10А TO220AB NXP USA Inc. BYQ28E-200,127
0,24 доллара США
NXP USA Inc. BAT54AW,115 NXP USA Inc. BAT54AW,115 NXP США Инк. Масса ДИОД ШОТТКИ 30В 200МА SOT323 NXP USA Inc. BAT54AW,115
0,02 доллара США
NXP USA Inc. BAT74V115 NXP USA Inc. BAT74V115 NXP США Инк. Масса ТЕПЕРЬ NEXPERIA BAT74V - ВЫПРЯМИТЕЛЬ NXP USA Inc. BAT74V115
0,06 доллара США
NXP USA Inc. BAW56W/DG/B3115 NXP USA Inc. BAW56W/DG/B3115 NXP США Инк. Масса BAW56 — ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ DIO NXP USA Inc. BAW56W/DG/B3115
NXP USA Inc. PMBD354,215 NXP USA Inc. PMBD354 215 NXP США Инк. Масса ДИОД ШОТТКИ 4В 30МА SOT23 NXP USA Inc. PMBD354,215
0,08 доллара США
Fairchild Semiconductor MMBD2838 Fairchild Semiconductor MMBD2838 Фэйрчайлд Полупроводник Масса ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, 0,2А Fairchild Semiconductor MMBD2838
Renesas Electronics America Inc 1S953-T4 Renesas Electronics America Inc 1S953-T4 Ренесас Электроникс Америка Инк. Масса 1S953 - ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ EPI Renesas Electronics America Inc 1S953-T4
0,1 доллара США
NXP USA Inc. BAW56W,115 NXP USA Inc. BAW56W,115 NXP США Инк. Масса ДИОДНАЯ МАССИВ 90В 150МА SOT323 NXP USA Inc. BAW56W,115
0,02 доллара США
Infineon Technologies DD750S65K3NOSA2 Infineon Technologies DD750S65K3NOSA2 Инфинеон Технологии Масса ДД750С65К3 - 6500В, 750А, ДИОДЫ Infineon Technologies DD750S65K3NOSA2
Infineon Technologies BAS70-05E6433 Инфинеон Технологии BAS70-05E6433 Инфинеон Технологии Масса ДИОД ШОТТКИ – ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Infineon Technologies BAS70-05E6433
0,08 доллара США
NXP USA Inc. BAT54CM315 NXP USA Inc. BAT54CM315 NXP США Инк. Масса ТЕПЕРЬ NEXPERIA BAT54C - ВЫПРЯМИТЕЛЬ NXP USA Inc. BAT54CM315
1 доллар
NXP USA Inc. 1PS70SB45,115 NXP USA Inc. 1PS70SB45,115 NXP США Инк. Масса ДИОД ШОТТКИ 40В 120МА SOT323 NXP USA Inc. 1PS70SB45,115
0,03 доллара США
Infineon Technologies BAW101E6433 Инфинеон Технологии BAW101E6433 Инфинеон Технологии Масса BAW101 - ДВОЙНОЙ ДИО-ДИО ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ Infineon Technologies BAW101E6433
0,11 доллара США
NXP USA Inc. BYV32E-150,127 NXP USA Inc. BYV32E-150,127 NXP США Инк. Масса СЕЙЧАС WEEN - BYV32E-150 - УЛЬТРАФАС NXP USA Inc. BYV32E-150,127
Fairchild Semiconductor MBR4035PT Fairchild Semiconductor MBR4035PT Фэйрчайлд Полупроводник Масса ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, ШОТТКИ, 1 ФА Fairchild Semiconductor MBR4035PT
1,41 доллара США
Fairchild Semiconductor MBRP3010NTU Fairchild Semiconductor MBRP3010NTU Фэйрчайлд Полупроводник Масса ДИОД АРР SCHOT 100В 30А ТО220-3 Fairchild Semiconductor MBRP3010NTU
0,83 доллара США
Rohm Semiconductor RB218NS-40TL Ром Полупроводник RB218NS-40TL Ром Полупроводник Лента и катушка (TR) СУПЕР НИЗКИЙ ИК, 40 В, 20 А, ТО-263С Rohm Semiconductor RB218NS-40TL
1,52 доллара США
Rohm Semiconductor RB088T150NZC9 Ром Полупроводник RB088T150NZC9 Ром Полупроводник Трубка СУПЕР НИЗКИЙ ИК, 150 В, 10 А, ИТО-220 Rohm Semiconductor RB088T150NZC9
1,6 доллара США
Rohm Semiconductor RB238T-30NZC9 Ром Полупроводник RB238T-30NZC9 Ром Полупроводник Трубка СУПЕР НИЗКИЙ ИК, 30 В, 40 А, ITO-220 А Rohm Semiconductor RB238T-30NZC9
2 доллара
Rohm Semiconductor RB238T150NZC9 Ром Полупроводник RB238T150NZC9 Ром Полупроводник Трубка СУПЕР НИЗКИЙ ИК, 150 В, 40 А, ИТО-220 Rohm Semiconductor RB238T150NZC9
2,86 доллара США
Rohm Semiconductor RB098BM-40TL Ром Полупроводник RB098BM-40TL Ром Полупроводник Лента и катушка (TR) SUPER LOW IR, 40В, 6А, ТО-252 (Д Rohm Semiconductor RB098BM-40TL
0,94 доллара США