РЧ полочные транзисторы, МОП-транзисторы
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | Микрочиповая технология 1011GN-125E | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 125 Вт, |  | |
| | Микрочиповая технология 1214GN-50E | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 50Вт, 5 | | |
| | Микрочиповая технология 2729ГН-270ВП | Микрочиповая технология | Масса | ПОДДОН, ГАН, 2,7-2,9 ГГЦ, 270Вт, | | |
| | Микрочиповая технология 2729ГН-300ВП | Микрочиповая технология | Масса | ПОДДОН, ГАН, 2,7-2,9 ГГЦ, 300ВТ, | | |
| | Микрочиповая технология 1011GN-250V | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 250 Вт, | | |
| | Микрочиповая технология 0912GN-500LV | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 500Вт, 5 | | |
| | Микрочиповая технология DC35GN-15-D3 | Микрочиповая технология | Масса | ТРАН, ГАН, DC-3,5 ГГц, 15 Вт, 50 В | | |
| | Амплеон США Инк. Б10Г2327Н55ДЗ | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | B10G2327N55DZ/РЕЕЛДП | | $32,9 |
| | Берекс Инк BCP080C | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $18,93 |
| | Берекс Инк BCF040T | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $22,38 |
| | BeRex Inc BCL015 | БеРекс Инк | Поднос | Сверхмалошумящий чип pHEMT | | $18,79 |
| | BeRex Inc BCG008 | БеРекс Инк | Поднос | Силовой GaN-транзистор мощностью 8 Вт | | $51,38 |
| | BeRex Inc BCP120C | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $30,78 |
| | Берекс Инк BCF020T | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $21,58 |
| | Берекс Чернила BCP040C | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $14,12 |
| | Берекс Чернила BCP060C | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | 15,44 доллара США |
| | BeRex Inc BCP030C | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $12,67 |
| | BeRex Inc BCF240T | БеРекс Инк | Поднос | Высокоэффективный гетеропереход p | | $58,93 |
| | BeRex Inc BCG002 | БеРекс Инк | Поднос | Силовой GaN-транзистор мощностью 2 Вт | | $34,33 |
| | Амплеон США Инк. ART150PEGY | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | ВЧ полевой транзистор LDMOS 135В 27дБ SOT12242 | | $51,46 |
| | Ampleon USA Inc. BLP15H9S30XY | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | ВЧ МОП-транзистор LDMOS 50 В 4-HSOPF | | $15,89 |
| | Ampleon USA Inc. BLP15H9S30GXY | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | ВЧ МОП-транзистор LDMOS 50 В 4-HSOP | | $15,89 |
| | GaNPower GPI6TIC15DFV | GaNPower | Трубка | Силовая ИС на базе Power GaN HEMT | | $9,36 |
| | Амплеон США Инк. B11G2327N71DYZ | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | B11G2327N71DYZ/PQFN-12X7/REELDP | | $51,43 |
| | Амплеон США Инк. B11G3338N81DYZ | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | B11G3338N81DYZ/PQFN-12X7/REELDP | | $54,12 |
| | НТЕ Электроникс, Чернила 2N5485 | НТЭ Электроникс, Инк. | Сумка | 2N5485 | | 0,8 доллара США |
| | НТЕ Электроникс, Чернила 2N5486 | НТЭ Электроникс, Инк. | Сумка | 2N5486 | | 1,02 доллара США |
| | Ampleon USA Inc. BLF974PU | Амплеон США Инк. | Поднос | BLF974PU | | 188 долларов США |
| | Ampleon USA Inc. BLC10G22XS-602AVTZ | Амплеон США Инк. | Поднос | BLC10G22XS-602АВТЗ | | $93,78 |
| | Ampleon USA Inc. BLM9H0610S-60PGY | Амплеон США Инк. | Лента и катушка (TR) | BLM9H0610S-60PGY | | $47,78 |